SJT 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
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ID： |
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文件大小(MB)： |
6.54 |
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页数： |
26 |
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日期： |
2024-7-28 |
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ICS 31.260,L45,备案号:,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11394—2009,代替SJ/T 2355. 1-2355. 7—1983,半导体发光二极管测试方法,Measure methods of semiconductor I ight emitt i ng d iodes,2009-11-17 发布2010-01-01 实施,中华人民共和国工业和信息化部 发布,SJ/T 11394—2009,甘,捷,2010,号,电特懂卿,光樹,光,颜,热,韜,目 次,前面,范围.,2规范性引用文件,3术语、定义和符号,4 一般要求,4」试验条件.,4.2 测量条件（允许偏差）,4.3 测量设备,5测试方法,5.1测试方法分类,5.2 1000 美,5.3 2000 类,5.4 3000 类,5.5 4000 类,5.6 5000 类,5.7 6000 类,I. ■ ”二,3 J；,4,<：；；,；,……4 ’,.ア:,12 ニ「,12 >>,16 二,20,SJ/T 11394—2009,前 言,本标准代替SJハ、 2355.1.2355. 7—1983《半导体发光器件测试方法?系列标准,与訂,“ 2355—1983,よス相比主要变化如下:「,二:「一增加了半导体发光二极管的色度学参数、热学参数和静电放电敏感性的测试方法;,；ア亠釆用国际照明委员会C1E 127-199T《技术报告LED的测量》中建立的平均LED强度的概念和测,二一量规范来替代原先建立在点光源基础上的发光强度测埴方法;,-~:鉴F可见光和红外发射二极管、紫外发射二极管的测试原理相同,只是测试用探测器光港范围,"不同,因此,红外发射二极管和紫外发射.二极管的相关测试可以参考本标准,本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归ロ,二;本标准起值单位:中国光学光电ド行业协会光电器件分会,:一 本标准主要起草人:飽超, 本标准所代替标准的历次版本发布情况为:,■ --,SJ/T 2355. 1—1983；,--——SJ/T 2355.2—1983；,' —SJ/T 2355.3—1983：,「: —6PT 2355.4—1983；,.こー「 ーー5シT 2355.5—1983；,上.…:一 .---SJ/T 2355. 6—1983：,二二;二.—SJ/T 2355.7—1983. \,SJ/T 11394—2009,半导体发光二极管测试方法,本标准规定了半导体发光二极管（以下简称器件）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数,以及电磁兼容性的测试方法,本标准适用于可见光、臼光半导体发光二 速二极管、红外发射二极管、半导体发光组;,件和芯片的测试可参考执行,2规范性引用文件,下列文件中的条列,单（不包括勘误的内メ,可使用这些文件的耳線,ゆ两用而成为本标准的条款,用7,@不适用于本标准,然而,.鼓励根堀,文件,其随后的修改;,朴议的各方研究是否二,GB/T 3977—：,GB/T 4365r,GB/T 56984,GB/T 5702-r ：,磁兼容,:件,其最新マ,i. 2—1986I9,0050(161)： TDT),GB/T,GB/T,GB/T,GB/T,7921,7922-,f光源显,均匀色,的洞盘方,半导,15651サ光电EC 60747-5；：,1992,1DT),CIE 127；,ANSI/ESD,ANS17ESD,1991,STM扌,STM 5.,LED测量,3术语、定义和符号,GB/T4365、GB/T5698、GB/',2,义和符号适用于本标型,辐射能 radiant energy,Qc,以辐射形式发射、传播或接收的能量,単位为J （焦耳），；,光量」quantity of light,光量:luminous energy,Gv,光源辐射能中能够为人眼视觉系统所感受到的那部分能量大小的量度,即光通量和光照时间的乘,单位为im. S （流明秒）,平均 LED 强度 averaged LED intensity,SJ/T 11394—2009,在规定的LED和光探测器构成的立体角。内的照射光通量与立体角。的比值,/ = —*.. . . ..(1),式中:,I-一CIE LED平均强度,不同条件用不同符号表示(见注)；,Q——LED和光探测器构成的立体角:,由一位体角Q内的光通量.,注:CIE 12ア推荐标准条件A和B分别来测也远场和近场条件下的平均LED强度,可以分别用符ギハ皿,和『闻》来表示:,ー用符号，曲一和「上人,分别表示标准条件A测量的平均LED福射强度和平均LED发光強度,3.4,’光谱功率(能置)分布 spectra I power di str i but i on,P⑷,在光辐射波长范围内,各个波长的辐射功率分布情况,3.5 器件热学特性,3.5. 1,热阻 thermal Resistance,Rrh(A-B),沿热流通道上的温度差与通道上耗散的功率之比为热阻,可用下式表示:,式中:,儿如-身 热阻;,ねーー热流通道上最高温度点温度:,”——热流通道上最低温度点温度;,品——通道上耗散的功率,对于半导体器件而言;A几乎总是芯片的结面,B可以是几个热流通道参考点中的任何一个。本标准,涉及的热阻均为稳态热阻。在器件中,热関可以表示为:,「 "1,- T, -7；,ー广旅_,-式中:,不一器件的结温;,R—器件参考点温度,参考点的不同,形成几种常用的热阻名称,3.5. 1.1,结,丒管売热阻 therma I res i stance from junct ion-to-……
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